Bipolartransistor MJ14002G

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 60 A
• Verlustleistung, max: 300 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 15 bis 100
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
• Gehäuse: TO-3
• Der MJ14002G ist die bleifreie Version des MJ14002-Transistors

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum MJ14002G ist der MJ14003G.Sie können den Transistor MJ14002G durch einen MJ14002 ersetzen.