Bipolartransistor 2N5671

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5671

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 90 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 30 A
  • Verlustleistung, max: 140 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 100
  • Übergangsfrequenz, min: 40 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2N5671

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N5671

Sie können den Transistor 2N5671 durch einen 2N5672 ersetzen.
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