Bipolartransistor 2N5885G

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5885G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 25 A
  • Verlustleistung, max: 200 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 100
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3
  • Der 2N5885G ist die bleifreie Version des 2N5885-Transistors

Pinbelegung des 2N5885G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N5885G ist der 2N5883G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N5885G

Sie können den Transistor 2N5885G durch einen 2N5671, 2N5672, 2N5885, 2N5886, 2N5886G, MJ14000, MJ14000G, MJ14002 oder MJ14002G ersetzen.
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