Bipolartransistor 2N5881

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
• Verlustleistung, max: 160 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 20 bis 100
• Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
• Gehäuse: TO-3

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N5881 ist der 2N5879.Sie können den Transistor 2N5881 durch einen 2N5039, 2N5671, 2N5672, 2N5882, 2N5885, 2N5885G, 2N5886, 2N5886G, 2N6471, 2N6472, KD502, KD503, MJ14000, MJ14000G, MJ14002 oder MJ14002G ersetzen.