Transistor bipolaire 2N3055

Caractéristiques électriques du transistor 2N3055

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
  • Tension collecteur-base maximum: 100 V
  • Tension émetteur-base maximum: 7 V
  • Courant collecteur continu maximum: 15 A
  • Dissipation de puissance maximum: 115 W
  • Gain de courant (hfe): 20 à 70
  • Fréquence de transition minimum: 3 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du 2N3055

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor 2N3055

Le transistor PNP complémentaire du 2N3055 est le MJ2955.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N3055

Vous pouvez remplacer le transistor 2N3055 par 2N3055A, 2N3055AG, 2N3055G, 2N3055H, 2N5039, 2N5630, 2N5671, 2N5672, 2N5881, 2N5882, 2N5885, 2N5885G, 2N5886, 2N5886G, 2N6471, 2N6472, BD130, BD182, BD183, KD502, KD503, MJ14000, MJ14000G, MJ14002, MJ14002G, MJ15015, MJ15015G ou NTE130.

Version sans plomb

Le transistor 2N3055G est la version sans plomb du 2N3055.
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