Transistor bipolaire MJE242

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
• Tension collecteur-base maximum: 80 V
• Tension émetteur-base maximum: 7 V
• Courant collecteur continu maximum: 4 A
• Dissipation de puissance maximum: 15 W
• Gain de courant (h_fe): 25
• Fréquence de transition minimum: 2 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du MJE242 est le MJE252.Le BDP951 (SOT-223) est la version SMD du transistor MJE242.Vous pouvez remplacer le transistor MJE242 par 2N4923, 2N4923G, 2N6039, 2N6039G, 2SD1725, 2SD1725-Q, 2SD1725-R, 2SD1725-R, 2SD1725-S, BD441, BD441G, BD679, BD679A, BD679AG, BD679G, BD681, BD681G, BD779, BD789, BD791, KSE802, KSE803, MJE240, MJE241, MJE243, MJE243G, MJE244, MJE802, MJE802G, MJE803 ou MJE803G.