Transistor bipolaire MJE243

Caractéristiques électriques du transistor MJE243

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
  • Tension collecteur-base maximum: 100 V
  • Tension émetteur-base maximum: 7 V
  • Courant collecteur continu maximum: 4 A
  • Dissipation de puissance maximum: 15 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 180
  • Fréquence de transition minimum: 2 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126
  • These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant

Brochage du MJE243

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor MJE243

Le transistor PNP complémentaire du MJE243 est le MJE253.

Version SMD du transistor MJE243

Le BDP953 (SOT-223) est la version SMD du transistor MJE243.

Substituts et équivalents pour le transistor MJE243

Vous pouvez remplacer le transistor MJE243 par BD791, MJE243G ou MJE244.
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