Transistor bipolaire MJE241

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
• Tension collecteur-base maximum: 80 V
• Tension émetteur-base maximum: 7 V
• Courant collecteur continu maximum: 4 A
• Dissipation de puissance maximum: 15 W
• Gain de courant (h_fe): 40 à 180
• Fréquence de transition minimum: 2 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du MJE241 est le MJE251.Le BDP951 (SOT-223) est la version SMD du transistor MJE241.Vous pouvez remplacer le transistor MJE241 par BD789, BD791, MJE240, MJE242, MJE243, MJE243G ou MJE244.