Transistor bipolaire 2N6039G

Caractéristiques électriques du transistor 2N6039G

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
  • Tension collecteur-base maximum: 80 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 4 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 750 à 15000
  • Fréquence de transition minimum: 25 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126
  • Le 2N6039G est la version sans plomb du transistor 2N6039

Brochage du 2N6039G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor 2N6039G

Le transistor PNP complémentaire du 2N6039G est le 2N6036G.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N6039G

Vous pouvez remplacer le transistor 2N6039G par 2N6039, BD679, BD679A, BD679AG, BD679G, BD681, BD681G, BD779, KSE802, KSE803, MJE242, MJE244, MJE802, MJE802G, MJE803 ou MJE803G.
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