Bipolartransistor MJE242

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
• Verlustleistung, max: 15 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 25
• Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum MJE242 ist der MJE252.Der BDP951 (SOT-223) ist die SMD-Version des MJE242-Transistors.Sie können den Transistor MJE242 durch einen 2N4923, 2N4923G, 2N6039, 2N6039G, 2SD1725, 2SD1725-Q, 2SD1725-R, 2SD1725-R, 2SD1725-S, BD441, BD441G, BD679, BD679A, BD679AG, BD679G, BD681, BD681G, BD779, BD789, BD791, KSE802, KSE803, MJE240, MJE241, MJE243, MJE243G, MJE244, MJE802, MJE802G, MJE803 oder MJE803G ersetzen.