Transistor bipolaire MJE802

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
• Tension collecteur-base maximum: 80 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 4 A
• Dissipation de puissance maximum: 40 W
• Gain de courant (h_fe): 750
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du MJE802 est le MJE702.Vous pouvez remplacer le transistor MJE802 par 2N6039, 2N6039G, BD679, BD679A, BD679AG, BD679G, BD681, BD681G, BD779, KSE802, KSE803, MJE802G, MJE803 ou MJE803G.