Transistor bipolaire KSE802

Caractéristiques électriques du transistor KSE802

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
  • Tension collecteur-base maximum: 80 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 4 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 750
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular MJE802 transistor

Brochage du KSE802

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor KSE802

Le transistor PNP complémentaire du KSE802 est le KSE702.

Substituts et équivalents pour le transistor KSE802

Vous pouvez remplacer le transistor KSE802 par 2N6039, 2N6039G, BD679, BD679A, BD679AG, BD679G, BD681, BD681G, BD779, KSE803, MJE802, MJE802G, MJE803 ou MJE803G.
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