Transistor bipolaire BD679AG

Caractéristiques électriques du transistor BD679AG

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
  • Tension collecteur-base maximum: 80 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 4 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 750
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126
  • Le BD679AG est la version sans plomb du transistor BD679A

Brochage du BD679AG

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BD679AG

Le transistor PNP complémentaire du BD679AG est le BD680AG.

Substituts et équivalents pour le transistor BD679AG

Vous pouvez remplacer le transistor BD679AG par 2N6039, 2N6039G, BD679, BD679A, BD679G, BD681, BD681G, BD779, KSE802, KSE803, MJE802, MJE802G, MJE803 ou MJE803G.
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