Transistor bipolaire 2N6039

Caractéristiques électriques du transistor 2N6039

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
  • Tension collecteur-base maximum: 80 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 4 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 750 à 15000
  • Fréquence de transition minimum: 25 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du 2N6039

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor 2N6039

Le transistor PNP complémentaire du 2N6039 est le 2N6036.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N6039

Vous pouvez remplacer le transistor 2N6039 par 2N6039G, BD679, BD679A, BD679AG, BD679G, BD681, BD681G, BD779, KSE802, KSE803, MJE242, MJE244, MJE802, MJE802G, MJE803 ou MJE803G.

Version sans plomb

Le transistor 2N6039G est la version sans plomb du 2N6039.
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