Transistor bipolaire BD779

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
• Tension collecteur-base maximum: 80 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 4 A
• Dissipation de puissance maximum: 15 W
• Gain de courant (h_fe): 750
• Fréquence de transition minimum: 20 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du BD779 est le BD780.Vous pouvez remplacer le transistor BD779 par 2N6039, 2N6039G, BD679, BD679A, BD679AG, BD679G, BD681, BD681G, KSE802, KSE803, MJE802, MJE802G, MJE803 ou MJE803G.