Transistor bipolaire BD679G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
• Tension collecteur-base maximum: 80 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 4 A
• Dissipation de puissance maximum: 40 W
• Gain de courant (h_fe): 750
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-126
• Le BD679G est la version sans plomb du transistor BD679

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du BD679G est le BD680G.Vous pouvez remplacer le transistor BD679G par 2N6039, 2N6039G, BD679, BD679A, BD679AG, BD681, BD681G, BD779, KSE802, KSE803, MJE802, MJE802G, MJE803 ou MJE803G.