Transistor bipolaire BD681G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
• Tension collecteur-base maximum: 100 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 4 A
• Dissipation de puissance maximum: 40 W
• Gain de courant (h_fe): 750
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-126
• Le BD681G est la version sans plomb du transistor BD681

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du BD681G est le BD682G.Vous pouvez remplacer le transistor BD681G par BD681.