Transistor bipolaire MJE801G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
• Tension collecteur-base maximum: 60 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 4 A
• Dissipation de puissance maximum: 40 W
• Gain de courant (h_fe): 750
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du MJE801G est le MJE701G.Vous pouvez remplacer le transistor MJE801G par 2N6038, 2N6038G, 2N6039, 2N6039G, BD677, BD677A, BD677AG, BD677G, BD679, BD679A, BD679AG, BD679G, BD681, BD681G, BD777, BD779, KSE800, KSE801, KSE802, KSE803, MJE800, MJE800G, MJE801, MJE802, MJE802G, MJE803 ou MJE803G.