Transistor bipolaire KSE801

Caractéristiques électriques du transistor KSE801

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
  • Tension collecteur-base maximum: 60 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 4 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 750
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular MJE801 transistor

Brochage du KSE801

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor KSE801

Le transistor PNP complémentaire du KSE801 est le KSE701.

Substituts et équivalents pour le transistor KSE801

Vous pouvez remplacer le transistor KSE801 par 2N6038, 2N6038G, 2N6039, 2N6039G, BD677, BD677A, BD677AG, BD677G, BD679, BD679A, BD679AG, BD679G, BD681, BD681G, BD777, BD779, KSE800, KSE802, KSE803, MJE800, MJE800G, MJE801, MJE801G, MJE802, MJE802G, MJE803 ou MJE803G.
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