Transistor bipolaire BD677G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
• Tension collecteur-base maximum: 60 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 4 A
• Dissipation de puissance maximum: 40 W
• Gain de courant (h_fe): 750
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-126
• Le BD677G est la version sans plomb du transistor BD677

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du BD677G est le BD678G.Vous pouvez remplacer le transistor BD677G par 2N6038, 2N6038G, 2N6039, 2N6039G, BD677, BD677A, BD677AG, BD679, BD679A, BD679AG, BD679G, BD681, BD681G, BD777, BD779, KSE800, KSE801, KSE802, KSE803, MJE800, MJE800G, MJE801, MJE801G, MJE802, MJE802G, MJE803 ou MJE803G.