Transistor bipolaire BDT63B

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
• Tension collecteur-base maximum: 100 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 10 A
• Dissipation de puissance maximum: 90 W
• Gain de courant (h_fe): 1000
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du BDT63B est le BDT62B.Vous pouvez remplacer le transistor BDT63B par BDT63C, BDT65B, BDT65C, BDW42, BDW42G, BDW43, MJF6388, MJF6388G ou TIP142T.