Transistor bipolaire TIP102G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
• Tension collecteur-base maximum: 100 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 8 A
• Dissipation de puissance maximum: 80 W
• Gain de courant (h_fe): 1000 à 20000
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220
• Le TIP102G est la version sans plomb du transistor TIP102

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du TIP102G est le TIP107G.Vous pouvez remplacer le transistor TIP102G par 2N6045, 2N6045G, BD543C, BD545C, BD649, BD651, BD801, BD901, BDT63B, BDT63C, BDT65B, BDT65C, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW73C, BDW73D, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53C, BDX53CG, BDX53D, BDX53E, BDX53F, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, TIP102 ou TIP142T.