Transistor bipolaire BDX33CG
Caractéristiques électriques du transistor BDX33CG
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
- Tension collecteur-base maximum: 100 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 10 A
- Dissipation de puissance maximum: 70 W
- Gain de courant (hfe): 750
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: TO-220
- Le BDX33CG est la version sans plomb du transistor BDX33C
Brochage du BDX33CG
Equivalent circuit
Complémentaire du transistor BDX33CG
Substituts et équivalents pour le transistor BDX33CG
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com