Transistor bipolaire BDX33CG

Caractéristiques électriques du transistor BDX33CG

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
  • Tension collecteur-base maximum: 100 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 10 A
  • Dissipation de puissance maximum: 70 W
  • Gain de courant (hfe): 750
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220
  • Le BDX33CG est la version sans plomb du transistor BDX33C

Brochage du BDX33CG

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Equivalent circuit

BDX33CG equivalent circuit

Complémentaire du transistor BDX33CG

Le transistor PNP complémentaire du BDX33CG est le BDX34CG.

Substituts et équivalents pour le transistor BDX33CG

Vous pouvez remplacer le transistor BDX33CG par BDT63B, BDT63C, BDT65B, BDT65C, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW93C, BDW93CF, BDX33C, BDX33D, MJF6388, MJF6388G ou TIP142T.
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