Transistor bipolaire BDX33C

Caractéristiques électriques du transistor BDX33C

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
  • Tension collecteur-base maximum: 100 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 10 A
  • Dissipation de puissance maximum: 70 W
  • Gain de courant (hfe): 750
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du BDX33C

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Equivalent circuit

BDX33C equivalent circuit

Complémentaire du transistor BDX33C

Le transistor PNP complémentaire du BDX33C est le BDX34C.

Substituts et équivalents pour le transistor BDX33C

Vous pouvez remplacer le transistor BDX33C par BDT63B, BDT63C, BDT65B, BDT65C, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW93C, BDW93CF, BDX33CG, BDX33D, MJF6388, MJF6388G ou TIP142T.

Version sans plomb

Le transistor BDX33CG est la version sans plomb du BDX33C.
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