Transistor bipolaire MJE15028G

Caractéristiques électriques du transistor MJE15028G

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 120 V
  • Tension collecteur-base maximum: 120 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 8 A
  • Dissipation de puissance maximum: 50 W
  • Gain de courant (hfe): 40
  • Fréquence de transition minimum: 30 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220
  • Le MJE15028G est la version sans plomb du transistor MJE15028

Brochage du MJE15028G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor MJE15028G

Le transistor PNP complémentaire du MJE15028G est le MJE15029G.

Substituts et équivalents pour le transistor MJE15028G

Vous pouvez remplacer le transistor MJE15028G par 2N6533, 2SC2527, BD651, BDT63C, BDT65C, BDT87, BDT87F, BDW43, BDW73D, BDX33D, BDX53D, BDX53E, BDX53F, MJE15028, MJE15030, MJE15030G, MJF15030 ou MJF15030G.
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