Transistor bipolaire MJE15030G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 150 V
• Tension collecteur-base maximum: 150 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 8 A
• Dissipation de puissance maximum: 50 W
• Gain de courant (h_fe): 40
• Fréquence de transition minimum: 30 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220
• Le MJE15030G est la version sans plomb du transistor MJE15030

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du MJE15030G est le MJE15031G.Vous pouvez remplacer le transistor MJE15030G par BDX53F, FJP5200, FJP5200O, FJP5200R, FJPF5200, FJPF5200O, FJPF5200R, MJE15030, MJE15032, MJE15032G, MJE5740, MJF15030 ou MJF15030G.