Transistor bipolaire BDX53CG

Caractéristiques électriques du transistor BDX53CG

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
  • Tension collecteur-base maximum: 100 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 8 A
  • Dissipation de puissance maximum: 60 W
  • Gain de courant (hfe): 750
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220
  • Le BDX53CG est la version sans plomb du transistor BDX53C

Brochage du BDX53CG

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Equivalent circuit

BDX53CG equivalent circuit

Complémentaire du transistor BDX53CG

Le transistor PNP complémentaire du BDX53CG est le BDX54CG.

Substituts et équivalents pour le transistor BDX53CG

Vous pouvez remplacer le transistor BDX53CG par 2N6045, 2N6045G, 2N6532, 2SD1196, 2SD1830, BD649, BD651, BD901, BDT63B, BDT63C, BDT65B, BDT65C, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW73C, BDW73D, BDW93C, BDW93CF, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53C, MJF6388, MJF6388G, TIP102, TIP102G, TIP132, TIP132G ou TIP142T.
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