Transistor bipolaire MJE15030

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 150 V
• Tension collecteur-base maximum: 150 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 8 A
• Dissipation de puissance maximum: 50 W
• Gain de courant (h_fe): 40
• Fréquence de transition minimum: 30 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du MJE15030 est le MJE15031.Vous pouvez remplacer le transistor MJE15030 par BDX53F, FJP5200, FJP5200O, FJP5200R, FJPF5200, FJPF5200O, FJPF5200R, MJE15030G, MJE15032, MJE15032G, MJE5740, MJF15030 ou MJF15030G.Le transistor MJE15030G est la version sans plomb du MJE15030.