Bipolartransistor 2SB507

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
• Verlustleistung, max: 30 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 320
• Übergangsfrequenz, min: 5 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB507 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB507C liegt im Bereich von 40 bis 80, die des 2SB507D im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB507E im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB507F im Bereich von 160 bis 320.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB507-Transistor könnte nur mit "B507" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB507 ist der 2SD313.Sie können den Transistor 2SB507 durch einen 2SA1262, 2SA1488, 2SA1488A, 2SA770, 2SA771, 2SB633, BD204, BD242A, BD242B, BD242C, BD244A, BD244B, BD244C, BD304, BD536, BD538, BD540A, BD540B, BD540C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD950, BD952, BD954, BD956, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D44C7, D44C8, D44C9, D45C10, D45C11, D45C12, D45C7, D45C8, D45C9, MJE15029 oder MJE15029G ersetzen.