Bipolartransistor BDT86F

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDT86F

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
  • Verlustleistung, max: 36 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des BDT86F

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BDT86F ist der BDT85F.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDT86F

Sie können den Transistor BDT86F durch einen BD546C, BDT86, BDT88, BDT88F, BDW47, BDW47G, BDW48, MJF6668 oder MJF6668G ersetzen.
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