Bipolartransistor BDT88

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDT88

Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
Verlustleistung, max: 125 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 40
Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BDT88

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BDT88 ist der BDT87.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDT88

Sie können den Transistor BDT88 durch einen BDT88F, BDW48, FJP1943, FJP1943O, FJP1943R, FJPF1943, FJPF1943O oder FJPF1943R ersetzen.

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