Bipolartransistor BD810
Elektrische Eigenschaften des Transistors BD810
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
- Verlustleistung, max: 90 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 30
- Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des BD810
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre
NPN-Transistor zum BD810 ist der
BD809.
Ersatz und Äquivalent für Transistor BD810
Sie können den Transistor BD810 durch einen
2N6668,
2N6668G,
2SA1077,
2SA1329,
2SA1329-O,
2SA1329-Y,
2SA1452,
2SA1452-O,
2SA1452-Y,
2SA1452A,
2SA1452A-O,
2SA1452A-Y,
BD546B,
BD546C,
BDT62A,
BDT62B,
BDT62C,
BDT64A,
BDT64B,
BDT64C,
BDT84,
BDT84F,
BDT86,
BDT86F,
BDT88,
BDT88F,
BDW46,
BDW46G,
BDW47,
BDW47G,
BDW48,
BDW94B,
BDW94C,
BDW94CF,
BDX34B,
BDX34BG,
BDX34C,
BDX34CG,
BDX34D,
D45H11,
D45H11FP,
MJF6668,
MJF6668G,
TIP146T,
TIP147T,
TTA1452B oder
TTB1452B ersetzen.
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