Bipolartransistor MJE15029

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE15029

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -8 A
  • Verlustleistung, max: 50 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des MJE15029

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MJE15029 ist der MJE15028.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE15029

Sie können den Transistor MJE15029 durch einen 2SA1077, BD652, BDT62C, BDT64C, BDT88, BDT88F, BDW48, BDW74D, BDX34D, BDX54D, BDX54E, BDX54F, FJP1943, FJP1943O, FJP1943R, FJPF1943, FJPF1943O, FJPF1943R, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 oder MJF15031G ersetzen.

Bleifreie Version

Der MJE15029G-Transistor ist die bleifreie Version des MJE15029.
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