Bipolartransistor BD802

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD802

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -8 A
  • Verlustleistung, max: 65 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 30
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BD802

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD802 ist der BD801.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD802

Sie können den Transistor BD802 durch einen 2N6042, 2N6042G, 2SA1077, 2SB1228, 2SB886, BD544C, BD546C, BD650, BD652, BD902, BDT62B, BDT62C, BDT64B, BDT64C, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW47, BDW47G, BDW48, BDW74C, BDW74D, BDW94C, BDW94CF, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, BDX54C, BDX54CG, BDX54D, BDX54E, BDX54F, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031, MJF15031G, MJF6668, MJF6668G, TIP107, TIP107G, TIP137, TIP137G oder TIP147T ersetzen.
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