Bipolartransistor BDT88F

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDT88F

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
  • Verlustleistung, max: 36 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des BDT88F

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BDT88F ist der BDT87F.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDT88F

Sie können den Transistor BDT88F durch einen BDT88, BDW48, FJP1943, FJP1943O, FJP1943R, FJPF1943, FJPF1943O oder FJPF1943R ersetzen.
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