Bipolartransistor MJE15029G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE15029G

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -8 A
  • Verlustleistung, max: 50 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220
  • Der MJE15029G ist die bleifreie Version des MJE15029-Transistors

Pinbelegung des MJE15029G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MJE15029G ist der MJE15028G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE15029G

Sie können den Transistor MJE15029G durch einen 2SA1077, BD652, BDT62C, BDT64C, BDT88, BDT88F, BDW48, BDW74D, BDX34D, BDX54D, BDX54E, BDX54F, FJP1943, FJP1943O, FJP1943R, FJPF1943, FJPF1943O, FJPF1943R, MJE15029, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 oder MJF15031G ersetzen.
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