Bipolartransistor BDT82

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
• Verlustleistung, max: 125 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 40
• Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre NPN-Transistor zum BDT82 ist der BDT81.Sie können den Transistor BDT82 durch einen 2SA1744, 2SA1744-K, 2SA1744-L, 2SA1744-M, BD546A, BD546B, BD546C, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW45, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, MJF6668 oder MJF6668G ersetzen.