Bipolartransistor BD800
Elektrische Eigenschaften des Transistors BD800
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -8 A
- Verlustleistung, max: 65 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 30
- Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des BD800
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre
NPN-Transistor zum BD800 ist der
BD799.
Ersatz und Äquivalent für Transistor BD800
Sie können den Transistor BD800 durch einen
2N6041,
2N6041G,
2N6042,
2N6042G,
2N6668,
2N6668G,
2SA1077,
2SA1329,
2SA1329-O,
2SA1329-Y,
2SA1452,
2SA1452-O,
2SA1452-Y,
2SA1452A,
2SA1452A-O,
2SA1452A-Y,
2SB1228,
2SB886,
2SB951A,
2SB951A-P,
2SB951A-Q,
BD538,
BD538J,
BD538K,
BD544B,
BD544C,
BD546B,
BD546C,
BD648,
BD650,
BD652,
BD802,
BD810,
BD900,
BD900A,
BD902,
BDT62A,
BDT62B,
BDT62C,
BDT64A,
BDT64B,
BDT64C,
BDT84,
BDT84F,
BDT86,
BDT86F,
BDT88,
BDT88F,
BDW46,
BDW46G,
BDW47,
BDW47G,
BDW48,
BDW74B,
BDW74C,
BDW74D,
BDW94B,
BDW94C,
BDW94CF,
BDX34B,
BDX34BG,
BDX34C,
BDX34CG,
BDX34D,
BDX54B,
BDX54BG,
BDX54C,
BDX54CG,
BDX54D,
BDX54E,
BDX54F,
BDX78,
D45H11,
D45H11FP,
MJE15029,
MJE15029G,
MJE15031,
MJE15031G,
MJF15031,
MJF15031G,
MJF6668,
MJF6668G,
TIP106,
TIP106G,
TIP107,
TIP107G,
TIP136,
TIP136G,
TIP137,
TIP137G,
TIP146T,
TIP147T,
TTA1452B oder
TTB1452B ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com
