Transistor bipolar BDX33C

Características del transistor BDX33C

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 10 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 70 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 750
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del BDX33C

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Equivalent circuit

BDX33C equivalent circuit

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BDX33C es el BDX34C.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDX33C

Puede sustituir el BDX33C por el BDT63B, BDT63C, BDT65B, BDT65C, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW93C, BDW93CF, BDX33CG, BDX33D, MJF6388, MJF6388G o TIP142T.

Versión sin plomo

El transistor BDX33CG es la versión sin plomo del BDX33C.
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