Transistor bipolar BD801
Características del transistor BD801
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 100 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 100 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 8 A
- Disipación de Potencia Máxima: 65 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 30
- Frecuencia máxima de trabajo: 3 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
- Encapsulado: TO-220
Diagrama de pines del BD801
Transistor PNP complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor BD801
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