Transistor bipolar MJE15030G

Características del transistor MJE15030G

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 150 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 150 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 8 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 50 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 40
  • Frecuencia máxima de trabajo: 30 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • El MJE15030G es la versión sin plomo del transistor MJE15030

Diagrama de pines del MJE15030G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del MJE15030G es el MJE15031G.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJE15030G

Puede sustituir el MJE15030G por el BDX53F, FJP5200, FJP5200O, FJP5200R, FJPF5200, FJPF5200O, FJPF5200R, MJE15030, MJE15032, MJE15032G, MJE5740, MJF15030 o MJF15030G.
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