Transistor bipolar BDT85F

Características del transistor BDT85F

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 15 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 36 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 40
  • Frecuencia máxima de trabajo: 10 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220F

Diagrama de pines del BDT85F

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BDT85F es el BDT86F.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDT85F

Puede sustituir el BDT85F por el BD545C, BDT85, BDT87, BDT87F, BDW42, BDW42G, BDW43, MJF6388 o MJF6388G.
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