Transistor bipolar BDT63B

• Tipo: NPN
• Tensión Máxima Colector-Emisor: 100 V
• Tensión Máxima Colector-Base: 100 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: 10 A
• Disipación de Potencia Máxima: 90 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 1000
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
• Encapsulado: TO-220

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor PNP complementario del BDT63B es el BDT62B.Puede sustituir el BDT63B por el BDT63C, BDT65B, BDT65C, BDW42, BDW42G, BDW43, MJF6388, MJF6388G o TIP142T.