Bipolartransistor MJE15031G
Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE15031G
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -150 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -8 A
- Verlustleistung, max: 50 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 40
- Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220
- Der MJE15031G ist die bleifreie Version des MJE15031-Transistors
Pinbelegung des MJE15031G
Komplementärer NPN-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE15031G
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