Bipolartransistor MJE15031G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE15031G

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -150 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -8 A
  • Verlustleistung, max: 50 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220
  • Der MJE15031G ist die bleifreie Version des MJE15031-Transistors

Pinbelegung des MJE15031G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MJE15031G ist der MJE15030G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE15031G

Sie können den Transistor MJE15031G durch einen BDX54F, FJP1943, FJP1943O, FJP1943R, FJPF1943, FJPF1943O, FJPF1943R, MJE15031, MJE15033, MJE15033G, MJF15031 oder MJF15031G ersetzen.
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