Bipolartransistor 2SB817

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -140 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -12 A
• Verlustleistung, max: 100 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 200
• Übergangsfrequenz, min: 15 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -40 to +150 °C
• Gehäuse: TO-3P

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB817 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB817-D liegt im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB817-E im Bereich von 100 bis 200.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB817-Transistor könnte nur mit "B817" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB817 ist der 2SD1047.Sie können den Transistor 2SB817 durch einen 2SB1162, 2SB1163, KTB817, KTB817B, MJW1302A oder MJW1302AG ersetzen.