Bipolartransistor KTB817

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -140 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -12 A
• Verlustleistung, max: 100 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 200
• Übergangsfrequenz, min: 15 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-3P
• Electrically Similar to the Popular 2SB817 transistor

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KTB817 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTB817-O liegt im Bereich von 60 bis 120, die des KTB817-Y im Bereich von 100 bis 200.Der komplementäre NPN-Transistor zum KTB817 ist der KTD1047.Sie können den Transistor KTB817 durch einen 2SB1162, 2SB1163, 2SB817, KTB817B, MJW1302A oder MJW1302AG ersetzen.