Bipolartransistor 2SB1162

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -160 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -12 A
• Verlustleistung, max: 120 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 200
• Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-3P

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1162 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1162-P liegt im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1162-Q im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB1162-S im Bereich von 80 bis 160.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1162-Transistor könnte nur mit "B1162" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1162 ist der 2SD1717.Sie können den Transistor 2SB1162 durch einen 2SB1163, MJW1302A oder MJW1302AG ersetzen.