Bipolartransistor 2SD1047

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1047

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 140 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 160 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 12 A
  • Verlustleistung, max: 100 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 15 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -40 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des 2SD1047

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1047 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1047-D liegt im Bereich von 60 bis 120, die des 2SD1047-E im Bereich von 100 bis 200.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1047-Transistor könnte nur mit "D1047" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1047 ist der 2SB817.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1047

Sie können den Transistor 2SD1047 durch einen 2SD1717, 2SD1718, KTD1047, KTD1047B, MJW3281A oder MJW3281AG ersetzen.
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