Bipolartransistor KTB817B

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -140 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -12 A
• Verlustleistung, max: 100 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 200
• Übergangsfrequenz, min: 15 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-3P
• Electrically Similar to the Popular 2SB817 transistor

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KTB817B kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTB817B-O liegt im Bereich von 60 bis 120, die des KTB817B-Y im Bereich von 100 bis 200.Der komplementäre NPN-Transistor zum KTB817B ist der KTD1047B.Sie können den Transistor KTB817B durch einen 2SB1162, 2SB1163, 2SB817, KTB817, MJW1302A oder MJW1302AG ersetzen.