Bipolartransistor 2SB1140-R

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -20 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -25 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
• Verlustleistung, max: 10 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 200
• Übergangsfrequenz, min: 320 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +125 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1140-R kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1140 liegt im Bereich von 100 bis 400, die des 2SB1140-S im Bereich von 140 bis 280, die des 2SB1140-T im Bereich von 200 bis 400.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1140-R-Transistor könnte nur mit "B1140-R" gekennzeichnet sein.Sie können den Transistor 2SB1140-R durch einen 2SA1120, 2SA1357, 2SA1357-O, 2SB1127 oder 2SB1127-R ersetzen.